周期极化铌酸锂脊波导器件

铌酸锂光波导最常用的制备方法是质子交换法和金属扩散法，由于这两种方法制备的波导器件波导与衬底层的折射率相差较小，对光的限制作用较弱，且在制作过程中引入的外来离子会破坏铌酸锂晶体本身的性质，从而影响到波导的性能。基于铌酸锂单晶薄膜（LNOI）的脊型波导结构，大大增加了波导的核壳折射率差异，因而波导的光学限域效应增强，从而可以提高铌酸锂波导中的非线性效应，另外铌酸锂脊型波导光学损伤阈值更高，适合制作高功率的频率转换器件。

铌酸锂高速相位调制器

铌酸锂（LiNbO3）高速相位调制器由钛扩散或质子交换工艺制作波导，器件插入损耗小，驱动电压低，光纤与波导采用精密斜耦合实现较低的背向反射。

铌酸锂多功能集成光学器件（Y 波导）

铌酸锂（LiNbO3）多功能集成光学器件（MIOC）是利用微加工技术在铌酸锂晶片表面上制作不同的波导与电极图案，在晶片上集成了多个单元器件，可以实现起偏/检偏、分束/合束、相位调制等功能。 该器件具有响应快、重量轻、尺寸小、抗电磁干扰等特点。

300MHz 铌酸锂相位调制器

300MHz 铌酸锂（LiNbO3）相位调制器由钛扩散或质子交换工艺制作波导，器件插入损耗小，驱动电压低，光纤与波导采用精密斜耦合实现较低的背向反射。

10Gbps 铌酸锂强度调制器

铌酸锂（LiNbO3）电光强度调制器由钛扩散或质子交换工艺制作波导，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤功率等特点。主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。